Aixtron爱思强GaN G4-HT
Aixtron Aix 2800G4 HT MOCVD设备以多区精准温控、高温稳定生长和快速换型三大技术突破，将8英寸GaN外延均匀性偏差压至≤2%、SiC裂纹率降至0.5%，器件良率提升14-18%，双晶圆并行生长使产能翻倍，成为5G基站、新能源汽车和深紫外LED量产的核心引擎。
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Aixtron Aixtron G4-HT用于SiC
AIXTRON G4-HT（High-Temperature）是一款由德国 AIXTRON SE 开发的高温金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统，主要用于半导体材料的外延生长与薄膜沉积。此类设备传统上用于制作 III-V 化合物材料（如 GaN 等），用于包括碳化硅（SiC）相关材料的沉积工艺中。
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Aixtron爱思强GaAs G4-TM
Aixtron G4-TM for GaAs是德国 AIXTRON SE 推出的 金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统，属于 G4（第四代）平台，专为 GaAs / InP 及其他 III-V 化合物半导体材料的高质量外延生长 而设计。该系统广泛用于高性能光电子器件与射频器件的制造
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Veeco C4
Veeco C4 是美国 Veeco Instruments Inc. 生产的一款 金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统。它用于半导体行业中高性能外延材料的沉积，特别适合 III-V 化合物半导体（如 GaN、GaAs、InP 等）和相关光电电子器件的生产需求。