Aixtron爱思强GaN G4-HT

Aixtron Aix 2800G4 HT MOCVD设备以多区精准温控、高温稳定生长和快速换型三大技术突破，将8英寸GaN外延均匀性偏差压至≤2%、SiC裂纹率降至0.5%，器件良率提升14-18%，双晶圆并行生长使产能翻倍，成为5G基站、新能源汽车和深紫外LED量产的核心引擎。